* QT-2B半導體行業行業器件管性質示意儀可會按照要求檢測的半導體行業行業器件二**管、三**管的低頻直流電壓技術參數,**大集電**直流電相當于50A,差不多提供馬力500W以內的半導體行業行業器件管的測試英文。
* 本設備還附有低壓的測驗裝備,可對5000V下面的的半導體材料管進行熱擊穿直流電壓及正向漏直流電壓測驗,其測驗直流電壓**高快速度做到0.5uA/度。
* 本檢測設備所保證的基**臺階表現還具備有脈沖造成的臺階傷害,如此可發展估測范圍之內及對分批熱擊穿基本特征的估測。
* 本檢測儀器帶階梯式偏置電流值(△VB), -6V~+6V反復可以調節。特備宜于大熱效率VMOS管檢查。
1. 集電**電壓偏轉常數
a) 集電**電壓范圍之內(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔確定誤差并不太于3%。
b) 二**管電壓電流時間范圍(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔差值好超出3%。
c) 集電**電流值值及二**管電流值值系數×0.5,誤差值并不太于10%。
d) 基**瞬時電流或基**源電壓降0.1V/度,偏差并不嚴重于3%。
2. 集電**電壓電流偏轉公式
a) 集電**線電壓空間(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔測量誤差并不不低于3%。
b) 二**管輸出功率的范圍(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔偏差很達到10%。
c) 基**直流電壓條件(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔粗差太少于3%。
d) 基**電流值或基**源電流值::0.05V/度,測量誤差不太于3%。
3. 基**階梯式移動信號
a) 臺階電流大小領域(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔誤差度好不超5%。
b) 階梯性相電壓領域(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔誤差率不高于5%。
c) 電容并聯電阻功率:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔誤差率太不小于10%。
d) 臺階弧形:分日常(100%)及智能信號二檔。智能信號臺階占空比調整范圍之內為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續不斷隨意調節。
f) 階梯性偏置線電壓(△VB):-6V~+6V,多次可控。
g) 梯階用處:分重疊、關、單筆三檔級。
h) 臺階發送:分常規、零輸出功率電流、零輸出功率三檔級。
i) 臺階**性:分正、負二檔。
4. 集電**測試線電壓
a) 輸出電阻與檔級: 0~10V 正或負連續式可調節
0~50V 正或負反復調節
0~50V 正或負接連調節器
0~100V 正或負反復可以調整
0~500V 正或負連續不斷可調節為
b) 輸出精度直流電發熱量: 0~10V 50A(智能梯階運作環境時)
0~10V 20A(均勻值)
0~50V 10A(評平均)
0~100V 5A (峰值值)
0~500V 0.5A(平均的值)
c) 功率約束功率電阻: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔出現偏差的原因并不嚴重于10%。
d) 整流模式: 全波
e) 導出**性: +,-
f) 集電**容性電流大小; 失衡后不低于2uA(10V檔)
g) 集電**漏電流; 穩定平衡后不超過了2uA(10V檔)
5. 二**管測試方法配置
a) 輸送交流電壓: 0~5000V 正在向陸續可變
b) 輸出精度電流量出水量: **大大5mA
c) 整流手段: 半波
6. 各種
a) 兼容性測試器
直流電檢查座、三**管檢查座、 工作電壓三**管檢查座
b) 總重量 約30kg。
c) 樣貌尺寸規格
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 耗電量: 非測式模式時: 約80VA;
**大瓦數時: 約300VA。
e) 填寫電壓降: 220V±10%;
f) 的頻率: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 很好崗位面8×10cm。
h) 電磁爐性能
減弱騷擾應復合GB/T 6833.9中第四章的特殊要求。
散發電磁干擾應復合GB/T 6833.10中第一章的規范。
環境應貼合GB/T 6587.1中Ⅱ級醫療儀器的規定標準,配送實驗設計按2級

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