商品概況 
設計原理：會根據硅、鍺多晶硅的移動率、功率電阻率和沉渣鹽濃度值的的聯系，可馬上在測量、計算的出晶狀體內的沉渣鹽濃度值。  
支持范圍內：它適用于估測橫受力尺寸大小是可估測的，并且棒的長寬少于橫受力線度的有條件的長棒，譬如橫有點復雜為環形、正方體形、長四方型或梯型的單晶硅或多晶錠。  
的主要用途：結合預估沿錠長不溶物氨水氨水濃度的分布圖問題確定產品的的合格證書個部分，經由不溶物氨水氨水濃度的立即預估，確定尖晶石萌發步驟中的夾雜占比。  
打樣定制可在普通或冷藏下測定。  
信息屏幕上顯示方法：機器設備對接PC機，能夠測試APPAPP確定，用對數計算坐標定位的方法來信息屏幕上顯示鈣鎂離子有機廢氣濃度（含次方數）沿錠長的分布圖申請這類卡種曲線提額方程，可對申請這類卡種曲線提額方程圖參與縮印和包存。  
自動測量空間： 可測晶狀體電阻功率率：0.005-3000Ω·cm。  
電流數字式的電壓表(biao)檢測(ce)的范圍：0-199.99mV，靈敏性度：10μA。